据浙江大学杭州国际科技创新中心发布，最近几天，在浙江大学指针计划等研发项目支持下， 浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院——干晶体半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室成功生长出厚度为50 mm的6英寸碳化硅单晶，这一重要进展意味着碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展可能迎来新的发展机遇。
据介绍，碳化硅单晶作为一种宽带隙半导体材料，对于发展高压，高频，高温，大功率半导体器件非常重要目前，我国碳化硅单晶的直径普遍达到了6英寸，但其厚度通常在~20—30 mm之间，这就导致一个碳化硅锭切片得到的碳化硅衬底数量相当有限
研究人员表示，增加碳化硅单晶厚度的主要挑战在于其在生长过程中厚度的增加以及源粉消耗导致的生长室内热场的变化为应对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备新热场，开发碳化硅源粉新技术和碳化硅单晶生长新技术，显著提高了碳化硅单晶的生长速度，成功生长出厚度为50 mm的6英寸碳化硅单晶，而且碳化硅单晶的晶体质量达到行业水平
